Planar vs. Finfet vs. GAA (MBCFFET)
Planar vs. Finfet vs. GAA (MBCFFET) Planar 소자 : 전통적인 MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor) 구조로, Gate(Silicon, Metal gate) , Source, Drain, Bulk 의 구조로 기존에 사용된 공정들 (~28/20nm) 공정들에서 사용되었음. 기존 moore 의 법칙이 SCE (Short Channel Effect) 의 한계로 Gate Length 를 줄이는데 한계가 있어, High-K Metal Gate 로 유전율을 증가시키는 방법 / Stress Effect 를 반영하는 방법으로 Planar 공정의 생명을 연장하였으나, 20nm 를 한계로 Finfet 을 개발함. 보통 한 세대 (30%..
IT이야기/반도체이야기
2024. 2. 21. 20:19